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二次離子質(zhì)譜SIMS：原理與基本概念

二次離子質(zhì)譜 SIMS ：原理與基本概念二次離子質(zhì)譜（ Secondary Ion Mass Spectrometry, SIMS ）是一種高靈敏度的表面分析技術(shù)，廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、半導(dǎo)體制造、地質(zhì)學(xué)和生物學(xué)等領(lǐng)域； SIMS 通過高能量的一次離子束轟擊樣品表面，使樣品表面的原子或分子濺射出...

2024-12-03

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二次離子質(zhì)譜SIMS兩種模式的應(yīng)用特點(diǎn)

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2024-11-27

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二次離子質(zhì)譜(SIMS)技術(shù)詳解：分析與應(yīng)用

二次離子質(zhì)譜 (SIMS) 技術(shù)詳解：分析與應(yīng)用二次離子質(zhì)譜（ Secondary Ion Mass Spectrometry ， SIMS ）是一種用于深度分析樣品表面和亞表面結(jié)構(gòu)的分析技術(shù) ；它通過將樣品表面濺射出二次離子，然后利用質(zhì)譜儀分析這些離子的質(zhì)量和濃度，從而獲取樣品表面和亞表面的...

2024-09-29

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二次離子質(zhì)譜大科普！TOF-SIMS實(shí)例分析

二次離子質(zhì)譜大科普！ TOF-SIMS 實(shí)例分析二次離子質(zhì)譜（ Secondary Ion Mass Spectrometry ， SIMS ）是一種非常靈敏的表面分析技術(shù)，通過用一次離子激發(fā)樣品表面，打出的二次離子因質(zhì)量不同而飛行到探測器的時間不同，實(shí)現(xiàn)不同元素、同位素及分子結(jié)構(gòu)的探測。一、...

2024-01-19

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動態(tài)二次離子質(zhì)譜儀（D-SIMS）在材料分析中的用途

動態(tài)二次離子質(zhì)譜儀（ D-SIMS ）在材料分析中的用途動態(tài)二次離子質(zhì)譜儀 D-SIMS 是一種材料表面分析技術(shù)，它基于二次離子發(fā)射原理，利用高能離子束轟擊樣品表面，通過分析產(chǎn)生的二次離子來獲取材料表面的化學(xué)信息。 D-SIMS 技術(shù)在材料科學(xué)、半導(dǎo)體、薄膜、生物醫(yī)學(xué)、地質(zhì)學(xué)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用...

2023-12-14

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動態(tài)二次離子質(zhì)譜技術(shù)(D-SIMS)改變表面分析的局限性

動態(tài)二次離子質(zhì)譜技術(shù) (D-SIMS) 改變表面分析的局限性動態(tài)二次離子質(zhì)譜技術(shù) （ Dynamic Secondary Ion Mass Spectrometry ，簡稱 D-SIMS ）是一種先進(jìn)的表面分析技術(shù)，它通過對樣品表面進(jìn)行高能離子轟擊，產(chǎn)生微量的二次離子，并通過質(zhì)量分析器對這些二次...

2023-12-14

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表面分析利器——TOF-SIMS飛行時間二次離子質(zhì)譜儀

TOF-SIMS（Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry）是通過用一次離子激發(fā)樣品表面，打出極其微量的二次離子，根據(jù)二次離子因不同的質(zhì)量而飛行到探測器的時間不同來測定離子質(zhì)量的極高分辨率的測量技術(shù)。 TOF-SIMS具有極高分辨率，可以提供表面...

2023-12-11

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TOF-SIMS幾種不同濺射源的選擇

TOF-SIMS最早應(yīng)用于靜態(tài)SIMS，但隨著技術(shù)的發(fā)展迭代，TOF-SIMS也配備了濺射源，用于深層界面的分析和深度剖析。目前用于濺射的主要有雙束離子源（DSC）、氣體團(tuán)簇離子源（GCS）、FIB三種，本文將以M6為原型介紹這三種濺射源的性能、參數(shù)和實(shí)際應(yīng)用。雙束離子源（DSC O2/Cs） ...

2023-12-11

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